隨著移動通信網絡業務向數據化、分組化方向發展，移動通信基站的發展趨勢也必然是寬帶化、大覆蓋面建設及IP化。市場對于基站電源的應用需求也是逐漸提高，其中，通信功率轉換系統的性能改善源于高壓 MOSFET 導通電阻的降低，為了可實現當前高要求的均衡型能效目標，市場也在不斷追求性能更加優異的MOSFET。

       新潔能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Super Trench MOSFET 系列產品在保持合理的功耗下將高能效發揮到極致，全面提升了器件的開關特性和導通特性。在優化供電的所有關鍵方面，通過功能性升級與工藝技術優化來降低總體成本。

       目前，針對全橋、半橋、LLC諧振開關等應用，Super-Junction MOSFET推出了優化體二極管特性的650V TF系列，使其在系統應用中具有更好的EMI表現，為系統設計提供更大的余量。同時為您提供TO-263、TO-252、 TO-220. TO-220F. TO-247在內的多款封裝外形選擇。

PFC:

SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET :

V_DS=650V R_{on@10V（max）}=41mΩ-140mΩ

LLC:

SJ-III TF MOSFET：V_DS=650V  R_{on@10V（max）}=41mΩ-140mΩ

同步整流：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET： 

V_DS=40V-85V   R_{on@10V（max）}＜10mΩ 封裝形式DFN、TOLL